TLC271BIDR vs TLC271CDR Сравнение

Это подробное сравнение TLC271CDR и TLC271BIDR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
TLC271CDR

+БОМ

6110 ПКС | Техасские инструменты
TLC271BIDR

+БОМ

4844 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8
Описание IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 1 1
Slew Rate 5.3V/µs 5.3V/µs
Gain Bandwidth Product 2.2 MHz 2.2 MHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 1.1 mV 390 µV
Supply Current 950µA 950µA
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : TLC271CDR TLC271BIDR

+БОМ RFQ