TLC27M2CDR vs TLC272IDRG4

Это подробное сравнение TLC27M2CDR и TLC272IDRG4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
TLC27M2CDR

+БОМ

1234 ПКС | Техасские инструменты
TLC272IDRG4

+БОМ

5111 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8
Описание IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Series LinCMOS™ LinCMOS™
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
AmplifierType CMOS CMOS
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.62V/µs 5.3V/µs
GainBandwidthProduct 635 kHz 2.2 MHz
Current-InputBias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage-InputOffset 1.1 mV 900 µV
Current-Supply 285µA (x2 Channels) 1.4mA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 30 mA 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 4 V
Voltage-SupplySpan(Max) 16 V 16 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : TLC27M2CDR TLC272IDRG4

+БОМ RFQ