UCC27325DR vs UCC27200D

Это подробное сравнение UCC27325DR и UCC27200D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27325DR

+БОМ

6133 ПКС | Техасские инструменты
UCC27200D

+БОМ

7093 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC UCC27200 120V BOOT, 3-A PEAK, HI
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel, P-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 4.5V ~ 15V -
LogicVoltage-VILVIH 1V, 2V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A -
InputType Inverting, Non-Inverting -
Rise/FallTime(Typ) 20ns, 15ns -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : UCC27325DR UCC27200D

+БОМ RFQ