UCC27325DR vs UCC27211D

Это подробное сравнение UCC27325DR и UCC27211D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27325DR

+БОМ

6133 ПКС | Техасские инструменты
UCC27211D

+БОМ

4359 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 15V 8V ~ 17V
LogicVoltage-VILVIH 1V, 2V 1.3V, 2.7V
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A 4A, 4A
InputType Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 120 V
Rise/FallTime(Typ) 20ns, 15ns 7.2ns, 5.5ns
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : UCC27325DR UCC27211D

+БОМ RFQ