UCC27425DR vs UCC27714D

Это подробное сравнение UCC27425DR и UCC27714D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27425DR

+БОМ

5594 ПКС | Техасские инструменты
UCC27714D

+БОМ

9436 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-14
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4V ~ 15V 10V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH 1V, 2V 1.2V, 2.7V
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A 4A, 4A
InputType Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) 20ns, 15ns 15ns, 15ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : UCC27425DR UCC27714D

+БОМ RFQ