1N6080US

Изображения являются только для ссылки

1N6080US

+БОМ

DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #1N6080US

  • Лист данных 1N6080US DataSheet

  • Пакет SQ-MELF, G

  • В наличии4894

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Discontinued at Digi-Key
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Current - Average Rectified(Io) 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 37.7 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package G-MELF (D-5C)

Продукты, связанные с 1N6080US

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку 1N6080US Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.