Изображения являются только для ссылки
6A80GHB0G
+БОМDIODE GEN PURP 800V 6A R-6
-
ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников
-
Мфр. Часть #6A80GHB0G
-
Пакет R-6, Axial
-
В наличии7258
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package | Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 800 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 6A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1 V @ 6 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 800 V |
| Capacitance@VrF | 60pF @ 4V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | R-6, Axial |
| SupplierDevicePackage | R-6 |
