ALD114913PAL

Изображения являются только для ссылки

ALD114913PAL

+БОМ

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

  • ПроизводительКомпания Advanced Linear Devices Inc.

  • Мфр. Часть #ALD114913PAL

  • Лист данных ALD114913PAL DataSheet

  • Пакет DIP-8

  • В наличии5044

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Advanced Linear Devices Inc.
Package / Case Tube
Series EPAD®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 12mA, 3mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 500Ohm @ 2.7V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.26V @ 1µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Power - Max 500mW
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с ALD114913PAL