APTGT50DA170D1G

Изображения являются только для ссылки

APTGT50DA170D1G

+БОМ

IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1

  • Производителькорпорации Microsemi

  • Мфр. Часть #APTGT50DA170D1G

  • Лист данных APTGT50DA170D1G DataSheet

  • Пакет D1

  • В наличии6191

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Discontinued at Digi-Key
IGBT Type Trench Field Stop
Configuration Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1700 V
Current - Collector(Ic)(Max) 70 A
Power - Max 310 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 50A
Current - Collector Cutoff(Max) 6 mA
Input Capacitance(Cies) @ Vce 4.4 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с APTGT50DA170D1G