Изображения являются только для ссылки
APTGT75SK120D1G
+БОМIGBT MODULE 1200V 110A 357W D1
-
Производителькорпорации Microsemi
-
Мфр. Часть #APTGT75SK120D1G
-
Лист данных APTGT75SK120D1G DataSheet
-
Пакет D1
-
В наличии4496
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 1200 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 110 A |
| Power - Max | 357 W |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 4 mA |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 5.345 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
