APTM100DSK35T3G

Изображения являются только для ссылки

APTM100DSK35T3G

+БОМ

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #APTM100DSK35T3G

  • Пакет SP-3

  • В наличии7545

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 22A
Rds On(Max) @ Id Vgs 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Power - Max 390W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с APTM100DSK35T3G