APTM10DSKM09T3G

Изображения являются только для ссылки

APTM10DSKM09T3G

+БОМ

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #APTM10DSKM09T3G

  • Пакет SP-3

  • В наличии4408

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 139A
Rds On(Max) @ Id Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9875pF @ 25V
Power - Max 390W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с APTM10DSKM09T3G