Изображения являются только для ссылки
APTM60H23FT1G
+БОМMOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
-
ПроизводительТехнология микрочипов
-
Мфр. Часть #APTM60H23FT1G
-
Лист данных APTM60H23FT1G DataSheet
-
Пакет SP-1
-
В наличии3693
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 276mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 5316pF @ 25V |
| Power - Max | 208W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
