Изображения являются только для ссылки
APTMC120AM16CD3AG
+БОМMOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
-
ПроизводительТехнология микрочипов
-
Мфр. Часть #APTMC120AM16CD3AG
-
Пакет D-3 Module
-
В наличии7837
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 131A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 20mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 5mA (Typ) |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 246nC @ 20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 4750pF @ 1000V |
| Power - Max | 625W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
