Изображения являются только для ссылки
AUIRFS8409TRL
+БОМMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
-
ПроизводительМеждународный исправитель
-
Мфр. Часть #AUIRFS8409TRL
-
Лист данных AUIRFS8409TRL DataSheet
-
В наличии2818
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 450 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 14240 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
