B125C800DM-E3/45

Изображения являются только для ссылки

B125C800DM-E3/45

+БОМ

BRIDGE RECT 1P 200V 900MA DFM

  • ПроизводительVishay General Semiconductor - Диоды

  • Мфр. Часть #B125C800DM-E3/45

  • Лист данных B125C800DM-E3/45 DataSheet

  • Пакет EDIP-4

  • В наличии8687

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Package / Case Tube
Part Status Active
Diode Type Single Phase
Technology Standard
Voltage - Peak Reverse(Max) 200 V
Current - Average Rectified(Io) 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 200 V
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с B125C800DM-E3/45

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку B125C800DM-E3/45 Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.