BSO615NGHUMA1

Изображения являются только для ссылки

BSO615NGHUMA1

+БОМ

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #BSO615NGHUMA1

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии2866

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series SIPMOS®
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.6A
RdsOn(Max)@IdVgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 20µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 20nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 380pF @ 25V
Power-Max 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Продукты, связанные с BSO615NGHUMA1