BUK7606-55B,118

Изображения являются только для ссылки

BUK7606-55B,118

+БОМ

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • ПроизводительКомпания NXP USA Inc.

  • Мфр. Часть #BUK7606-55B,118

  • Лист данных BUK7606-55B,118 DataSheet

  • В наличии21

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 254W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK

Продукты, связанные с BUK7606-55B,118