Изображения являются только для ссылки
CDM22010-650 SL
+БОМMOSFET N-CH 650V 10A TO220
-
Производителькорпорации Central Semiconductor Corp
-
Мфр. Часть #CDM22010-650 SL
-
В наличии476
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Central Semiconductor Corp |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | 30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1168 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 156W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
