Изображения являются только для ссылки
DBL103G
+БОМDIODE BRIDGE 1A 200V DBL
-
ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников
-
Мфр. Часть #DBL103G
-
Пакет 4-DIP (0.300, 7.62mm)
-
В наличии3446
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Single Phase |
| Technology | Standard |
| Voltage-PeakReverse(Max) | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1 A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.1 V @ 1 A |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 2 µA @ 200 V |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | 4-DIP (0.300, 7.62mm) |
