Изображения являются только для ссылки
EPC2016
+БОМGANFET N-CH 100V 11A DIE
-
ПроизводительЭПК
-
Мфр. Часть #EPC2016
-
Лист данных EPC2016 DataSheet
-
В наличии3346
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | EPC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 5V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | +6V, -5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 520 pF @ 50 V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
