FBG04N30BC

Изображения являются только для ссылки

FBG04N30BC

+БОМ

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

  • ПроизводительEPC Space, LLC

  • Мфр. Часть #FBG04N30BC

  • В наличии62

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier EPC Space
Package / Case Tray
Series FSMD-B
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 9mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 11.4 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1300 pF @ 20 V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 4-SMD

Продукты, связанные с FBG04N30BC