Изображения являются только для ссылки
FDMD86100
+БОМPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
-
ПроизводительКомпания Fairchild Semiconductor
-
Мфр. Часть #FDMD86100
-
Лист данных FDMD86100 DataSheet
-
Пакет WDFN-8
-
В наличии8554
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Power - Max | 2.2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
