FII50-12E

Изображения являются только для ссылки

FII50-12E

+БОМ

IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
IGBT Type NPT
Configuration Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 50 A
Power - Max 200 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.6V @ 15V, 30A
Current - Collector Cutoff(Max) 400 µA
Input Capacitance(Cies) @ Vce 2 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с FII50-12E