G3S12015L

Изображения являются только для ссылки

G3S12015L

+БОМ

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 3-P

  • ПроизводительГлобальная энергетическая технология-GPT

  • Мфр. Часть #G3S12015L

  • Пакет TO-247-3

  • В наличии8050

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Global Power Technology-GPT
Package Cut Tape (CT),Tape & Box (TB)
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 1200 V
Current-AverageRectified(Io) 55A (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 15 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 50 µA @ 1200 V
Capacitance@VrF 1700pF @ 0V, 1MHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-247-3
SupplierDevicePackage TO-247AB

Продукты, связанные с G3S12015L

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку G3S12015L Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.