Изображения являются только для ссылки
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN
-
ПроизводительГлобальная энергетическая технология Co. Ltd
-
Мфр. Часть #G4S06508HT
-
Лист данных G4S06508HT DataSheet
-
Пакет TO-220-2
-
В наличии3155
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 18.5A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 395pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220F |
