Изображения являются только для ссылки
G4S06515QT
+БОМSIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8
-
ПроизводительГлобальная энергетическая технология Co. Ltd
-
Мфр. Часть #G4S06515QT
-
Лист данных G4S06515QT DataSheet
-
Пакет TSFN-4
-
В наличии3949
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 53A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 15 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 645pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-DFN (8x8) |
