G4S06530BT

Изображения являются только для ссылки

G4S06530BT

+БОМ

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 3-PI

  • ПроизводительГлобальная энергетическая технология Co. Ltd

  • Мфр. Часть #G4S06530BT

  • Пакет TO-247-3

  • В наличии4315

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Global Power Technology Co. Ltd
Package / Case Bulk
Part Status Active
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 39A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 15 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 650 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с G4S06530BT