Изображения являются только для ссылки
G5S06506QT
+БОМSIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN8*
-
ПроизводительГлобальная энергетическая технология Co. Ltd
-
Мфр. Часть #G5S06506QT
-
Лист данных G5S06506QT DataSheet
-
Пакет TSFN-4
-
В наличии5539
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 34A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 6 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 395pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-DFN (8x8) |
