G5S06510DT

Изображения являются только для ссылки

G5S06510DT

+БОМ

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI

  • ПроизводительГлобальная энергетическая технология Co. Ltd

  • Мфр. Часть #G5S06510DT

  • Пакет TO-263-3

  • В наличии5041

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Global Power Technology Co. Ltd
Package / Case Bulk
Part Status Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 38A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 645pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263

Продукты, связанные с G5S06510DT