Изображения являются только для ссылки
G5S12005C
+БОМSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
-
ПроизводительГлобальная энергетическая технология Co. Ltd
-
Мфр. Часть #G5S12005C
-
Лист данных G5S12005C DataSheet
-
В наличии5958
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 20.95A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 424pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| SupplierDevicePackage | TO-252 |
