Изображения являются только для ссылки
G5S12008D
+БОМSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI
-
ПроизводительГлобальная энергетическая технология-GPT
-
Мфр. Часть #G5S12008D
-
Лист данных G5S12008D DataSheet
-
Пакет TO-263-3
-
В наличии5505
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package / Case | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 26.1A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 550pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 |
