Изображения являются только для ссылки
GB10SLT12-252
+БОМDIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #GB10SLT12-252
-
Лист данных GB10SLT12-252 DataSheet
-
В наличии8019
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 10A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 2 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 520pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| SupplierDevicePackage | TO-252 |
