Изображения являются только для ссылки
GB10SLT12-252
+БОМDIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #GB10SLT12-252
-
Лист данных GB10SLT12-252 DataSheet
-
Пакет TO-252-3
-
В наличии8019
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252 |
