Изображения являются только для ссылки
GBLA02H
+БОМDIODE BRIDGE 4A 200V GBL
-
ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников
-
Мфр. Часть #GBLA02H
-
Пакет 4-SIP, GBL
-
В наличии9174
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package | Tube |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Single Phase |
| Technology | Standard |
| Voltage-PeakReverse(Max) | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 3 A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1 V @ 4 A |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 200 V |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | 4-SIP, GBL |
