GPAS1001 MNG

Изображения являются только для ссылки

GPAS1001 MNG

+БОМ

DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

  • ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников

  • Мфр. Часть #GPAS1001 MNG

  • Пакет TO-263-3

  • В наличии8836

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Taiwan Semiconductor Corporation
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50 V
Current - Average Rectified(Io) 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 10 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 50 V
Capacitance @ Vr F 50pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK)

Продукты, связанные с GPAS1001 MNG