Изображения являются только для ссылки
GPIHV30SB5L
+БОМGANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L
-
ПроизводительГанПауэр
-
Мфр. Часть #GPIHV30SB5L
-
Лист данных GPIHV30SB5L DataSheet
-
В наличии2184
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GaNPower |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 30A |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 6V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 8.25 nC @ 6 V |
| Vgs(Max) | +7.5V, -12V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 236 pF @ 400 V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
