GT50J121(Q)

Изображения являются только для ссылки

GT50J121(Q)

+БОМ

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

  • ПроизводительКомпания Toshiba Semiconductor и Storage

  • Мфр. Часть #GT50J121(Q)

  • Пакет TO-3PL

  • В наличии6199

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 50 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 100 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.45V @ 15V, 50A
Power - Max 240 W
Switching Energy 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Input Type Standard
Td(on / off) @ 25°C 90ns/300ns
Test Condition 300V, 50A, 13Ohm, 15V
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с GT50J121(Q)