GT60N321(Q)

Изображения являются только для ссылки

GT60N321(Q)

+БОМ

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

  • ПроизводительКомпания Toshiba Semiconductor и Storage

  • Мфр. Часть #GT60N321(Q)

  • Пакет TO-3PL

  • В наличии4428

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
ProductStatus Obsolete
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 1000 V
Current-Collector(Ic)(Max) 60 A
Current-CollectorPulsed(Icm) 120 A
Vce(on)(Max)@VgeIc 2.8V @ 15V, 60A
Power-Max 170 W
InputType Standard
Td(on/off)@25°C 330ns/700ns
ReverseRecoveryTime(trr) 2.5 µs
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case TO-3PL

Продукты, связанные с GT60N321(Q)