Изображения являются только для ссылки
HS1JL MTG
+БОМDIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
-
ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников
-
Мфр. Часть #HS1JL MTG
-
Лист данных HS1JL MTG DataSheet
-
Пакет DO-219AB
-
В наличии3498
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 75 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 600 V |
| Capacitance@VrF | 15pF @ 4V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | DO-219AB |
| SupplierDevicePackage | Sub SMA |
