Изображения являются только для ссылки
IDB09E60ATMA1
+БОМDIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IDB09E60ATMA1
-
Лист данных IDB09E60ATMA1 DataSheet
-
В наличии4998
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 19.3A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 2 V @ 9 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 75 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 600 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SupplierDevicePackage | PG-TO263-3-2 |
