IDB10S60C

Изображения являются только для ссылки

IDB10S60C

+БОМ

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IDB10S60C

  • Лист данных IDB10S60C DataSheet

  • Пакет TO-263-3

  • В наличии5184

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series CoolSiC™+
Part Status Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Current - Average Rectified(Io) 10A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 140 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F 480pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2

Продукты, связанные с IDB10S60C