Изображения являются только для ссылки
IDB18E120ATMA1
+БОМDIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IDB18E120ATMA1
-
Лист данных IDB18E120ATMA1 DataSheet
-
Пакет TO-263-3
-
В наличии7396
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 31A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 2.15 V @ 18 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 195 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 100 µA @ 1200 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SupplierDevicePackage | PG-TO263-3-2 |
