IDB18E120ATMA1

Изображения являются только для ссылки

IDB18E120ATMA1

+БОМ

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IDB18E120ATMA1

  • Лист данных IDB18E120ATMA1 DataSheet

  • Пакет TO-263-3

  • В наличии7396

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Part Status Obsolete
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Current - Average Rectified(Io) 31A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.15 V @ 18 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 195 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 1200 V
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2

Продукты, связанные с IDB18E120ATMA1