Изображения являются только для ссылки
IDC04S60CEX1SA1
+БОМDIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IDC04S60CEX1SA1
-
Лист данных IDC04S60CEX1SA1 DataSheet
-
Пакет Die
-
В наличии5808
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk |
| Series | CoolSiC™+ |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 4A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
