Изображения являются только для ссылки
IDC08S120EX1SA3
+БОМDIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IDC08S120EX1SA3
-
Лист данных IDC08S120EX1SA3 DataSheet
-
Пакет Die
-
В наличии7202
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk |
| Series | CoolSiC™+ |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 7.5A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 7.5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
