Изображения являются только для ссылки
IPG20N06S3L-35
+БОМMOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IPG20N06S3L-35
-
Лист данных IPG20N06S3L-35 DataSheet
-
Пакет VDFN-8
-
В наличии2389
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | OptiMOS™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 35mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 15µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| Power - Max | 30W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
