IR2011PBF

Изображения являются только для ссылки

IR2011PBF

+БОМ

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #IR2011PBF

  • Лист данных IR2011PBF DataSheet

  • Пакет DIP-8

  • В наличии3517

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Package / Case Bulk,Tube
Part Status Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side
Channel Type Independent
Number of Drivers 2
Gate Type N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output(Source Sink) 1A, 1A
Input Type Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 200 V
Rise / Fall Time(Typ) 35ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с IR2011PBF