Изображения являются только для ссылки
IRF7379TRPBF
+БОМMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IRF7379TRPBF
-
Лист данных IRF7379TRPBF DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии4574
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
