Изображения являются только для ссылки
IRFB3006GPBF
+БОМMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
-
ПроизводительМеждународный исправитель
-
Мфр. Часть #IRFB3006GPBF
-
Лист данных IRFB3006GPBF DataSheet
-
В наличии8744
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 2.5mOhm @ 170A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 8970 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
