Изображения являются только для ссылки
IRLS3813PBF
+БОМMOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
-
ПроизводительМеждународный исправитель
-
Мфр. Часть #IRLS3813PBF
-
Лист данных IRLS3813PBF DataSheet
-
В наличии5243
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.95mOhm @ 148A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 83 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 8020 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
