IXFB150N65X2

Изображения являются только для ссылки

IXFB150N65X2

+БОМ

MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFB150N65X2

  • В наличии2612

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Ultra X2
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 17mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 430 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 20400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1560W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PLUS264™

Продукты, связанные с IXFB150N65X2